Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках

Продемонстрирована возможность селективного роста упорядоченных массивов нитевидных нанокристаллов GaN с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии на процессированных методом фотолитографии по микросферическим линзам подложках SiO$_{x}$/Si без предварительного формирования затравочных слоев. Исследовано влияние температуры подложки на морфологические свойства полученных массивов нитевидных нанокристаллов. Экспериментально выявлены оптимальные ростовые параметры, обеспечивающие режим селективного роста нитевидных нанокристаллов GaN.