Исследование квантовых точек в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры

Исследованы квантовые точки (КТ) полупроводников CdSe, PbS, InSb в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры. Рассмотрена модель упорядоченного расположения КТ в микронном зазоре структуры и протекания тока по линиям их последовательно-параллельного расположения. Электронный транспорт при малых величинах напряжения (менее 8 V) определяется термо- и туннельной эмиссией из КТ в зазор, при больших – зарядовым ограничением в КТ по модели кулоновской блокады. Обнаружено сильное влияние на вольт-амперные характеристики излучения ИК- и УФ-спектров.