Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе

Предложена модель количественного анализа зависимости диэлектрической проницаемости гексагональных политипов карбида кремния от энергии фотонов в диапазоне 0.7–6.5 eV. Модель, представляющая собой сумму двух осцилляторов Таук–Лорентца (основного и неосновного) с общей шириной запрещенной зоны, применяется для описания трех гексагональных политипов карбида кремния (4$H$, 15$R$, 6$H$), полученных в одном ростовом процессе. Анализируются как C-грани, так и Si-грани каждого политипа. Сделан ряд выводов о зависимости параметров осцилляторов от степени гексагональности политипа и типа грани поверхности. Самая сильная зависимость – увеличение амплитуды неосновного осциллятора с увеличением степени гексагональности политипа. Следует отметить также увеличение ширины запрещенной зоны при переходе от C-грани (000$\bar1$) к Si-грани (0001).