Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$

Методом бомбардировки ионами Ar$^{+}$ с последующим отжигом на различных глубинах оксида кремния получены нанофазы и нанослои Si. При изменении энергии ионов $E_{0}$ от 10 до 25 keV средняя глубина образования нанофаз Si меняется в пределах от 15 до 25 nm. Показано, что при изменении размеров нанофаз Si от $\sim$10 до 25 nm ширина запрещенной зоны $E_{g}$ уменьшается от 1.9 до 1.5 eV. Для нанослоев Si $E_{g}$ составляет $\sim$1.1–1.2 eV.