И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, И. С. Шахрай, “Метод расчета рабочих характеристик кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с произвольными параметрами кристаллической подложки”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 17,страницы 3

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Метод расчета рабочих характеристик кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с произвольными параметрами кристаллической подложки

И. Е. Панайотти^a, Е. И. Теруков^bc, И. С. Шахрай^db

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
^c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
^d ГК "Хевел", Москва, Россия

Аннотация: Исследованы особенности токовых процессов в кремниевых гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах. Предложенная модель учитывает амбиполярный характер движения носителей заряда и позволяет рассчитывать рабочие характеристики при произвольном соотношении между длиной диффузии и толщиной кристаллической подложки. Описан численный метод оценки скорости рекомбинационных потерь на поверхностях кремниевых пластин, основанный на сравнительном анализе экспериментальных значений токов короткого замыкания и напряжений холостого хода.

Ключевые слова: гетеропереходные солнечные элементы, кристаллические кремниевые подложки, поверхностные рекомбинационные потери.

Поступила в редакцию: 15.05.2020
Исправленный вариант: 15.05.2020
Принята в печать: 19.05.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.17.49883.18377