Одноэлектронный транспорт в коллоидных квантовых точках узкозонных полупроводников

На сканирующем туннельном микроскопе исследован одноэлектронный транспорт в планарной структуре коллоидных квантовых точек полупроводников InSb, PbS, CdSe. На вольт-амперных характеристиках наблюдались участки провала тока, подобные кулоновской щели. Качественные и числовые сравнительные оценки позволяют считать, что в структуре множества квантовых точек наблюдаются одноэлектронный транспорт и явление, подобное кулоновской блокаде. Засветка белым светом образца при измерении вольт-амперных характеристик срывает кулоновскую блокаду, и можно ожидать, что приборный элемент на основе такой структуры будет реагировать на отдельные фотоны. В области кулоновской щели возможны осцилляции тока с частотами в терагерцевом диапазоне.