Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi$_{2}$ методом ионной имплантации

Изучены морфология, состав и электронные свойства пленки CoSiO, полученной на поверхности CoSi$_{2}$/Si(111) путем имплантации ионов О$_{2}$$^{+}$ в сочетании с отжигом. Определены параметры энергетических зон и получена информация о плотности состояний электронов валентной зоны и зоны проводимости. В частности, показано, что ширина запрещенной зоны этой пленки составляет $\sim$2.4 eV.