RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 13, страницы 7–10 (Mi pjtf5055)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек

Н. В. Крыжановскаяab, Э. И. Моисеевab, А. М. Надточийab, А. А. Харченкоb, М. М. Кулагинаc, С. А. Минтаировc, Н. А. Калюжныйc, М. В. Максимовbc, А. Е. Жуковa

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Показана возможность детектирования излучения микродискового лазера диаметром 23 $\mu$m с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs с помощью близкорасположенного фотодетектора (100 $\times$ 4000 $\mu$m) с аналогичной активной областью. При непрерывном режиме работы лазера, токе накачки 20 mA и расстоянии между гранями микролазера и фотодетектора около 100 $\mu$m получена величина фототока $\sim$10 $\mu$A, что соответствует чувствительности фотодетектора $\sim$0.9 $\mu$A/$\mu$W.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микродисковый лазер, квантовая яма-точка, микрооптопара.

Поступила в редакцию: 23.03.2020
Исправленный вариант: 23.03.2020
Принята в печать: 26.03.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.13.49582.18301


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:7, 629–632

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024