RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 13, страницы 19–23 (Mi pjtf5058)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе

А. М. Горбачевa, М. А. Лобаевa, Д. Б. Радищевa, А. Л. Вихаревa, С. А. Богдановa, С. В. Большедворскийab, А. И. Зеленеевbc, В. В. Сошенкоab, А. В. Акимовbd, М. Н. Дроздовe, В. А. Исаевa

a Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, г. Нижний Новгород
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
c Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный
d Российский квантовый центр, Москва, Сколково
e Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Представлены результаты выращивания многослойных легированных азотом наноструктур в монокристаллическом CVD-алмазе, представляющих собой периодически расположенные азотсодержащие слои нанометровой толщины. Продемонстрирована возможность создания легированных азотом слоев алмаза с чрезвычайно резкими границами (менее 1 nm). Исследование фотолюминесценции показало, что многослойные структуры позволяют получать большую интенсивность излучения практически важных NV$^{-}$-центров при времени спиновой когерентности, близком к значению для однородно легированных слоев с такой же концентрацией азота.

Ключевые слова: NV-центры в алмазе, CVD-рост алмаза, фотолюминесценция, легированный алмаз.

Поступила в редакцию: 20.03.2020
Исправленный вариант: 20.03.2020
Принята в печать: 01.04.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.13.49585.18299


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:7, 641–645

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024