А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев, И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, Н. В. Волков, “Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe$_{3}$Si/$n$-Si и влияние на него электрического смещения”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 13,страницы 43

Эта публикация цитируется в 1 статье

Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe$_{3}$Si/$n$-Si и влияние на него электрического смещения

А. С. Тарасов^ab, А. В. Лукьяненко^ab, И. А. Бондарев^ab, И. А. Яковлев^a, С. Н. Варнаков^a, С. Г. Овчинников^ab, Н. В. Волков^ab

^a Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
^b Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского федерального университета, г. Красноярск

Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe$_{3}$Si/$n$-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.

Ключевые слова: силицид железа, структуры ферромагнетик/полупроводник, эффект Ханле, спиновая аккумуляция, электрическая спиновая инжекция.

Поступила в редакцию: 08.11.2019
Исправленный вариант: 19.02.2020
Принята в печать: 06.04.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106