Эта публикация цитируется в
2 статьях
Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
М. А. Минтаировa,
В. В. Евстроповb,
С. А. Минтаировb,
А. М. Надточийa,
Р. А. Салийa,
М. З. Шварцb,
Н. А. Калюжныйb a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы спектры электролюминесценции и зависимости напряжения холостого хода от фотогенерированного тока для GaAs-солнечных элементов,
$p$ –
$n$-переход которых содержал различное количество рядов
$(r)$ квантовых объектов на основе слоев In
$_{0.4}$Ga
$_{0.6}$As. Для всех образцов получены значения тока насыщения (
$J_{0}$), ширины запрещенной зоны квантового объекта
$(E_g^Q)$ и падения напряжения холостого хода
$(\Delta V_{oc})$ относительно реферного (
$r$ = 0) образца. Предложена модель, адекватно описывающая зависимости
$J_{0}(r)$ и
$\Delta V_{oc}(r)$, и найдены модельные параметры, в том числе токовый инвариант
$J_{z}$ = 1.4
$\cdot$ 10
$^{5}$ A/cm
$^{2}$, однозначно связывающий ток насыщения с шириной запрещенной зоны квантового объекта.
Ключевые слова:
квантовые объекты, солнечные элементы, фотопреобразователи, ток насыщения.
Поступила в редакцию: 12.03.2020
Исправленный вариант: 12.03.2020
Принята в печать: 24.03.2020
DOI:
10.21883/PJTF.2020.12.49524.18284