RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 12, страницы 30–33 (Mi pjtf5074)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей

М. А. Минтаировa, В. В. Евстроповb, С. А. Минтаировb, А. М. Надточийa, Р. А. Салийa, М. З. Шварцb, Н. А. Калюжныйb

a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы спектры электролюминесценции и зависимости напряжения холостого хода от фотогенерированного тока для GaAs-солнечных элементов, $p$$n$-переход которых содержал различное количество рядов $(r)$ квантовых объектов на основе слоев In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As. Для всех образцов получены значения тока насыщения ($J_{0}$), ширины запрещенной зоны квантового объекта $(E_g^Q)$ и падения напряжения холостого хода $(\Delta V_{oc})$ относительно реферного ($r$ = 0) образца. Предложена модель, адекватно описывающая зависимости $J_{0}(r)$ и $\Delta V_{oc}(r)$, и найдены модельные параметры, в том числе токовый инвариант $J_{z}$ = 1.4 $\cdot$ 10$^{5}$ A/cm$^{2}$, однозначно связывающий ток насыщения с шириной запрещенной зоны квантового объекта.

Ключевые слова: квантовые объекты, солнечные элементы, фотопреобразователи, ток насыщения.

Поступила в редакцию: 12.03.2020
Исправленный вариант: 12.03.2020
Принята в печать: 24.03.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.12.49524.18284


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:6, 599–602

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024