RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 11, страницы 15–18 (Mi pjtf5085)

Особенности воздействия ионов He и Ar низких энергий на нанопористые Si/SiO$_{2}$-материалы

А. А. Сычеваa, Е. Н. Воронинаab

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Методом молекулярной динамики выполнено моделирование воздействия ионов He и Ar низких энергий (50–200 eV) на нанопористые материалы на основе Si и SiO$_{2}$. Полученные результаты подтверждают наблюдаемый экспериментально эффект уплотнения приповерхностных слоев материалов с малыми размерами пор и низкой пористостью, который обусловлен инициированным ионами процессом схлопывания пор. Исследованы различия в воздействии на нанопористые материалы ионов He и Ar и влияние их энергии на интенсивность структурных изменений.

Ключевые слова: low-$k$ диэлектрики, нанопористые материалы, молекулярная динамика, схлопывание пор.

Поступила в редакцию: 25.02.2020
Исправленный вариант: 25.02.2020
Принята в печать: 06.03.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.11.49492.18260


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:6, 532–535

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024