Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)

Исследована возможность получения объемных (толщиной свыше 7 $\mu$m) эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001) без трещин. Обнаружено, что при росте на Si слой AlN растянут, а при росте на гибридной подложке SiC/Si слой AlN сжат. Установлено предельное (критическое) значение толщины полуполярного слоя AlN на подложке Si (001) ($\sim$7.5 $\mu$m). При превышении толщиной этого значения в пленке образуется ансамбль трещин, приводящий к ее полному растрескиванию и отслоению от подложки. На гибридных подложках SiC/Si получены эпитаксиальные полуполярные пленки AlN с толщиной, превышающей 40 $\mu$m, без отслоения от подложки и ее растрескивания.