RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 11, страницы 43–46 (Mi pjtf5092)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Фемтосекундный лазерный отжиг многослойных тонкопленочных структур на основе аморфных германия и кремния

А. В. Колчинa, Д. В. Шулейкоa, А. В. Павликовab, С. В. Заботновab, Л. А. Голованьa, Д. Е. Пресновacd, В. А. Володинef, Г. К. Кривякинef, А. А. Поповg, П. К. Кашкаровab

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
d Центр квантовых технологий МГУ им. М. В. Ломоносова
e Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
f Новосибирский государственный университет
g Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия

Аннотация: Исследованы процессы фемтосекундного лазерного отжига тонкопленочных многослойных структур на основе аморфных кремния и германия, изготовленных методом плазмохимического осаждения на стеклянную подложку. Методом растровой электронной микроскопии обнаружено формирование периодических структур на поверхности облученных пленок. Анализ спектров комбинационного рассеяния света показал, что в результате воздействия фемтосекундными лазерными импульсами происходит кристаллизация аморфного германия, а также зависящее от плотности энергии импульсов смешивание германиевых и кремниевых слоев при отсутствии кристаллизации слоев аморфного кремния.

Ключевые слова: импульсный лазерный отжиг, тонкопленочные кремниевые и германиевые структуры, растровая электронная микроскопия, комбинационное рассеяние света.

Поступила в редакцию: 09.01.2020
Исправленный вариант: 16.03.2020
Принята в печать: 16.03.2020

DOI: 10.21883/PJTF.2020.11.49499.18201


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:6, 560–563

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024