Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m для реализации непрерывного режима генерации

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии реализована упругосбалансированная гетероструктура квантово-каскадного лазера спектрального диапазона 4.6 $\mu$m на основе гетеропары твердых растворов In$_{0.67}$Ga$_{0.33}$As/In$_{0.36}$Al$_{0.64}$As и слоев фосфида индия, которые выполняли функцию обкладок волновода. Метод рентгеноструктурного анализа продемонстрировал высокую однородность состава и толщин слоев в каскадах созданной гетероструктуры по площади подложки. Лазеры с четырьмя сколотыми гранями демонстрируют генерацию при комнатной температуре на длине волны излучения вблизи 4.6 $\mu$m с относительно низкой плотностью порогового тока 1.1 kA/cm$^{2}$.