Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления

Эпитаксиальные слои AlN выращены на подложке Si(111) при последовательном применении нескольких методов: реактивного магнетронного распыления (до толщины 20 nm), газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (до толщины 450 nm) и хлоридно-гидридной газофазной эпитаксии (до толщины 2 $\mu$m). Формирование AlN таким комбинированным методом обеспечивает существенное снижение деформации слоя и подавление формирования трещин.