Генерация пикосекундных импульсов лазерами с распределенной обратной связью с длиной волны 1064 nm

Исследован режим генерации пикосекундных оптических импульсов полупроводниковыми лазерами с распределенной обратной связью и активной областью на основе квантовой ямы InGaAs/GaAs, излучающими в спектральном диапазоне вблизи 1064 nm. В режиме модуляции усиления длительность лазерных импульсов уменьшалась от 150 до 35 ps c увеличением температуры от 5 до 50$^\circ$C. Продемонстрировано существование диапазона температур, в котором длительность импульсов была минимальной и составила 35 ps при ширине спектра на полувысоте 70 pm. Лазер был установлен в герметичный баттерфляй-корпус, что позволило получить температурную перестройку длины волны 3 nm в режиме генерации импульсов длительностью менее 45 ps. Выходная пиковая мощность составила 0.4 W на выходе одномодового волокна с сохранением поляризации.