Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия

На основе анализа нормированных дифференциальных туннельных вольт-амперных характеристик проведено рассмотрение механизмов токопереноса через квантовые точки антимонида индия. Исследовано туннелирование электронов с учетом дискретного спектра квантовых точек. Проведена оценка положения первых трех уровней их электронного спектра. Показано, что механизм наблюдавшегося тока автоэлектронной эмиссии из пленочной структуры коллоидных квантовых точек антимонида индия удовлетворительно описывается теорией Моргулиса–Стрэттона в диапазоне значений напряженности электрического поля, соответствующем условиям экспериментов.