Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния

Предложена методика формирования толстых сильно легированных галлием термомиграционных слоев кремния для перспективных приборов силовой электроники. Совершенство структуры и состав слоев в зависимости от температуры их формирования исследованы методами рентгеновской топографии, кривых дифракционного отражения и вторично-ионной масс-спектрометрии. Установлено, что формируемые слои являются монокристаллическими и не содержат на границе с кремниевой подложкой дислокаций несоответствия. Показано, что величину концентрации галлия в слоях можно менять в диапазоне (1.6–4.8)$\cdot$10$^{19}$ cm$^{-3}$, что выше, чем при легировании кремния алюминием.