И. А. Черных, С. М. Романовский, А. А. Андреев, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Ю. В. Грищенко, И. О. Майборода, С. В. Корнеев, М. М. Крымко, М. Л. Занавескин, В. Ф. Синкевич, “Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 5,страницы 11

Эта публикация цитируется в 1 статье

Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния

И. А. Черных^a, С. М. Романовский^b, А. А. Андреев^a, И. С. Езубченко^a, М. Я. Черных^a, Ю. В. Грищенко^a, И. О. Майборода^a, С. В. Корнеев^b, М. М. Крымко^b, М. Л. Занавескин^a, В. Ф. Синкевич^b

^a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
^b АО "НПП "Пульсар", г. Москва

Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены нитрид-галлиевые гетероструктуры на подложках кремния. На их основе созданы транзисторы с периферией 1.32 mm. Мощность насыщения транзисторов в корпусе на частоте 1 GHz составила 4 и 6.3 W при напряжениях питания 30 и 60 V соответственно. Максимальный коэффициент полезного действия стока составил 57%.

Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, СВЧ-электроника, нитридная гетероструктура, нитрид галлия, полупроводниковые материалы, кремний.

Поступила в редакцию: 10.10.2019
Исправленный вариант: 26.11.2019
Принята в печать: 28.11.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2020.05.49100.18068