AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Представлена фотоприемная гетероструктура на основе AlInSb/InSb, выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изготовлены мезоструктуры различных диаметров. Измерена температурная зависимость темнового тока. Показано, что встроенный барьер блокирует поток основных носителей заряда, тем самым снижая плотность темнового тока по сравнению с таковой для $pin$-структуры на основе InSb. Путем измерения зависимости темнового тока от размера мезоструктуры определено, что объемная составляющая тока преобладает над поверхностной.