Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)

На поверхности подложек GaAs(111)$B$ и GaAs(100) методом самокаталитического роста из молекулярных потоков сформированы нитевидные нанокристаллы (ННК) GaAs. Маска для роста ННК изготавливалась путем окисления эпитаксиального слоя кремния, выращенного на поверхности подложек методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Окисление кремния проводилось в атмосфере очищенного воздуха при нормальных условиях без перемещения структур за пределы объема вакуумной системы установки МЛЭ. Процесс окисления гетероструктуры Si/GaAs исследован с помощью одноволновой и спектральной эллипсометрии, а морфология поверхности окисленного кремния – методами атомно-силовой микроскопии. Образцы с ННК исследованы методом сканирующей электронной микроскопии. Плотность ННК составила порядка 2.6 $\cdot$ 10$^{7}$ и 3 $\cdot$ 10$^{7}$ cm$^{-2}$ для (111)$B$ и (100) соответственно.