RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 2, страницы 12–14 (Mi pjtf5206)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)

В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложен метод синтеза гексагонального слоя AlN на подложке Si(100) с наноструктурированной $V$-образной поверхностью, для которой угол между наклонной плоскостью “нанохребта” и Si(100) составляет 47$^\circ$. Показано, что метод хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на такой подложке позволяет сформировать полуполярный слой AlN(10$\bar1$2) при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания $\omega_{\theta}\sim$60 arcmin. Обнаружено, что спектры комбинационного рассеяния света полуполярного слоя AlN(10$\bar1$2) содержат дополнительные пики на кривых комбинационного рассеяния света, cвязанные с фононами $A_{1}$(TO) и $E_{1}$(TO), в отличие от полярного слоя AlN(0001), где дополнительно проявляется пик $A_{1}$(LO).

Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, хлорид-гидридная эпитаксия, комбинационное рассеяние света.

Поступила в редакцию: 07.10.2019
Исправленный вариант: 07.10.2019
Принята в печать: 10.10.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48944.18061


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:1, 59–61

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024