А. Н. Мацукатова, А. В. Емельянов, А. А. Миннеханов, Д. А. Сахарутов, А. Ю. Вдовиченко, Р. А. Камышинский, В. А. Демин, В. В. Рыльков, П. А. Форш, С. Н. Чвалун, П. К. Кашкаров, “Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра”, Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 2,страницы 25

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра

А. Н. Мацукатова^a, А. В. Емельянов^b, А. А. Миннеханов^b, Д. А. Сахарутов^b, А. Ю. Вдовиченко^bc, Р. А. Камышинский^bd, В. А. Демин^b, В. В. Рыльков^be, П. А. Форш^b, С. Н. Чвалун^bc, П. К. Кашкаров^abf

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
^c Институт синтетических полимерных материалов им. Н. С. Ениколопова РАН, г. Москва
^d Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук
^e Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^f Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Изучены свойства мемристоров на основе поли-$n$-ксилилена с наночастицами серебра: их вольт-амперные характеристики и эффект резистивного переключения, устойчивость к циклическим переключениям и возможность хранения резистивного состояния во времени. Обнаружено, что внедрение наночастиц приводит к существенному улучшению основных мемристивных характеристик. Полученные результаты могут быть использованы для создания больших массивов мемристоров с однородными характеристиками, эмулирующих синапсы в нейроморфных вычислительных системах.

Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, поли-$n$-ксилилен, нанокомпозит.

Поступила в редакцию: 09.10.2019
Исправленный вариант: 09.10.2019
Принята в печать: 15.10.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48948.18064