Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$

Исследована низкотемпературная циркулярно поляризованная электролюминесценция в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$. Установлено, что степень циркулярной поляризации слабо зависит от величины пространственного разнесения активной области и магнитного слоя и сохраняется даже при толщине спейсерного слоя, равной 12 nm. Полученный эффект связывается с дальнодействующим взаимодействием носителей заряда и ионов Mn.