Н. Н. Богачев, Н. Г. Гусейн-заде, И. В. Жлуктова, С. Ю. Казанцев, В. А. Камынин, С. В. Подлесных, В. Е. Рогалин, А. И. Трикшев, С. А. Филатова, В. Б. Цветков, Д. В. Шохрин, “Полупроводниковые плазменные антенны, формируемые лазерным излучением”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 24,страницы 6

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковые плазменные антенны, формируемые лазерным излучением

Н. Н. Богачев^abc, Н. Г. Гусейн-заде^abc, И. В. Жлуктова^a, С. Ю. Казанцев^a, В. А. Камынин^a, С. В. Подлесных^a, В. Е. Рогалин^d, А. И. Трикшев^a, С. А. Филатова^a, В. Б. Цветков^ae, Д. В. Шохрин^b

^a Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
^b МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
^c Российский национальный исследовательский медицинский университет имени Н. И. Пирогова
^d Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, г. Санкт-Петербург
^e Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Экспериментально исследована эффективность передачи высокочастотных сигналов полупроводниковой передающей антенной из монокристаллов Ge и Si, на поверхности которой неравновесная электронно-дырочная плазма формируется излучением лазерного диода. Получены зависимости амплитуды излучаемого СВЧ-сигнала в диапазоне 6–7.5 GHz от мощности лазера и размера облучаемого участка на полупроводниковой передающей вибраторной антенне. Показано, что эффективность передачи полезного сигнала при формировании плазменной антенны в кристаллах Ge может быть увеличена более чем на порядок.

Ключевые слова: плазменная антенна, электронно-дырочная плазма, полупроводник, кремний, германий, лазерное излучение, СВЧ-излучение.

Поступила в редакцию: 15.08.2019
Исправленный вариант: 15.08.2019
Принята в печать: 09.09.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.24.48793.18015n