Ионно-лучевое осаждение тонких пленок AlN на Al$_{2}$O$_{3}$

Методом ионно-лучевого осаждения на сапфировых подложках выращены тонкие пленки AlN. Методами сканирующей электронной микроскопии, комбинационного рассеяния и оптической спектроскопии выявлены зависимости влияния параметров ионно-лучевого осаждения (состав рабочей газовой смеси, энергия ионного пучка, температура подложки) на морфологию, структуру и оптические свойства тонких пленок AlN на сапфире.