Влияние формы канала на амплитуду случайных телеграфных шумов в подпороговой области беспереходного FinFET-транзистора

Моделируется зависимость амплитуды случайного телеграфного шума от прироста напряжения на затворе над пороговым для беспереходного вертикального полевого транзистора, изготовленного по технологии “кремний на изоляторе”, с поперечным сечением канала в форме прямоугольника и трапеции. Показано, что в подпороговой области амплитуда шума для транзистора с трапецеидальным поперечным сечением заметно меньше, чем для транзистора с прямоугольным сечением. Помимо этого при одинаковых условиях амплитуда шума при пороговом напряжении на затворе существенно меньше в беспереходном вертикальном транзисторе, чем в планарном, полностью обедненном вертикальном и обычном вертикальном полевом транзисторах.