Генерация терагерцевого излучения с поверхности монослойного WSe$_{2}$

Впервые исследованы параметры генерации терагерцевого излучения в двумерной пленке WSe$_{2}$, выращенной методом химического осаждения из газовой фазы. Определен основной механизм генерации терагерцевого излучения в рассматриваемой структуре. Исследована зависимость амплитуды терагерцевого сигнала от азимутального угла двумерной пленки WSe$_{2}$. Проведен расчет распределения электрического поля лазерной накачки в структуре WSe$_{2}$/SiO$_{2}$/Si в зависимости от толщины диоксида кремния. Теоретически обоснован выбор оптимальной геометрии структуры для эффективной генерации терагерцевого излучения монослойной пленкой WSe$_{2}$.