Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2–200 eV

Бинарные межатомные потенциалы F–F, F–Si, F–O, F–C и F–H рассчитаны из первых принципов (ab initio) на основе многоконфигурационного метода самосогласованного поля (CAS-SCF) с базисным набором атомных волновых функций aug-pp-AV6Z и использованы для расчета сдвигов фаз и сечений упругого рассеяния атомов в диапазоне относительных кинетических энергий 2–200 eV. Ожидается, что полученные сечения упругого рассеяния будут полезны для описания распыления и травления пористых органосиликатных пленок с этиленовыми мостиками, используемых в современной наноэлектронике.