Особенности вольт-амперных характеристик полевых транзисторов с активными слоями на основе композитных пленок полупроводниковых полимеров с наночастицами неорганических перовскитов

Проведен анализ вольт-амперных характеристик композитных полевых транзисторов с активными слоями на основе неорганических перовскитов – нанокристаллов галогенидов цезия CsPbBr$_{3}$, внедренных в матрицу полупроводникового полимера PFO (PFO : CsPbBr$_{3}$). Обнаружен и объяснен рост коэффициента усиления по току $\beta$ в вольт-амперных характеристиках таких структур с ростом отрицательного напряжения на затворе. Показано, что при наличии дополнительной инжекции неосновных носителей из электродов в канал транзистора возможно создание композитных светоизлучающих полевых транзисторов с улучшенными характеристиками.