Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках

Установлен новый механизм релаксации напряжений несоответствия в нанопленках при изменении плотности поверхностных фаз. Он обеспечивается упорядоченным массопереносом атомов из напряженного атомного слоя. В процессе фазового перехода 7 $\times$ 7 $\to$ 5 $\times$ 5 в пленке Ge на Si(111) происходит частичная компенсация сжимающих напряжений на границе объемного кристалла и сверхструктуры за счет растягивающей деформации в неплотных слоях поверхностной фазы.