Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, С. Н. Малеев, В. А. Беляков, Е. В. Петрякова, Ю. П. Кудряшова, Е. Л. Фефелова, И. В. Макарцев, С. А. Блохин, Ф. А. Ахмедов, А. В. Егоров, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 21,страницы 29

Эта публикация цитируется в 3 статьях

InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками

Н. А. Малеев^ab, А. П. Васильев^c, А. Г. Кузьменков^c, М. А. Бобров^a, М. М. Кулагина^a, С. И. Трошков^a, С. Н. Малеев^a, В. А. Беляков^d, Е. В. Петрякова^d, Ю. П. Кудряшова^d, Е. Л. Фефелова^d, И. В. Макарцев^d, С. А. Блохин^a, Ф. А. Ахмедов^e, А. В. Егоров^e, А. Г. Фефелов^d, В. М. Устинов^abc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^d НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
^e НПО "Техномаш", Москва, Россия

Аннотация: Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной $T$-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 $\mu$m, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 mS/mm, максимальную плотность тока стока 460 mA/mm и пробивное напряжение затвор-сток 8–10 V. Предельная частота усиления транзисторов по току превышает 115 GHz. Благодаря увеличенному пробивному напряжению и технологии формирования двойной затворной канавки методом селективного травления разработанные транзисторы перспективны для использования в монолитных интегральных схемах усилителей средней мощности миллиметрового диапазона.

Ключевые слова: транзистор, HEMT, InP, пробивное напряжение, миллиметровый диапазон.

Поступила в редакцию: 03.07.2019
Исправленный вариант: 03.07.2019
Принята в печать: 11.07.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.21.48470.17961