Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения

Исследована аномалия, возникающая в фотовольтаических характеристиках трехпереходных GaInP/GaAs/Ge и соответствующих двухпереходных GaInP/GaAs солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях (более 2000 солнц) падающего излучения. Проанализированы световые вольт-амперные характеристики при различных концентрациях падающего излучения и зависимость напряжения холостого хода от фотогенерированного тока. Показано, что причиной аномалии является встречно включенный между субэлементами GaInP и GaAs туннельный диод, поглощающий прошедшие сквозь слои GaInP фотоны и генерирующий встречную фотоэдс.