Б. С. Швецов, А. Н. Мацукатова, А. А. Миннеханов, А. А. Несмелов, Б. В. Гончаров, Д. А. Лапкин, М. Н. Мартышов, П. А. Форш, В. В. Рыльков, В. А. Демин, А. В. Емельянов, “Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 21,страницы 40

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках

Б. С. Швецов^ab, А. Н. Мацукатова^ab, А. А. Миннеханов^b, А. А. Несмелов^b, Б. В. Гончаров^b, Д. А. Лапкин^b, М. Н. Мартышов^a, П. А. Форш^bc, В. В. Рыльков^bd, В. А. Демин^b, А. В. Емельянов^bc

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
^c Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Институт нано-, био-, информационных, когнитивных и социогуманитарных наук и технологий, Москва, Россия
^d Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Представлены результаты создания и изучения гибких мемристивных структур на основе слоев полипараксилилена, которые демонстрируют стабильные резистивные переключения и обладают устойчивостью к изгибам вплоть до радиусов 10 mm. Предложена двухшаговая схема установления резистивного состояния мемристивной структуры, основанная на контроле значения предельного тока, протекающего через структуру. Полученные результаты открывают возможность использования мемристивных структур на основе слоев полипараксилилена для нейроморфных вычислительных систем и биосовместимой “носимой” электроники.

Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, полипараксилилен, гибкие структуры.

Поступила в редакцию: 11.07.2019
Исправленный вариант: 11.07.2019
Принята в печать: 17.07.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.21.48473.17974