RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 20, страницы 7–10 (Mi pjtf5286)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Селективные сенсоры двуокиси азота на основе тонких пленок оксида вольфрама при воздействии оптического излучения

А. В. Алмаев, Н. Н. Яковлев, Е. В. Черников, О. П. Толбанов

Национальный исследовательский Томский государственный университет

Аннотация: Показана возможность селективного детектирования NO$_{2}$ в воздухе начиная с концентрации 1 ppm сенсорами на основе тонких пленок Au/WO$_{3}$ : Au при замене постоянного нагрева облучением диодом с длиной волны максимума интенсивности излучения 400 nm. Активация облучением фотодесорбции на порядок снижает времена отклика сенсоров при воздействии NO$_{2}$. Установлено, что воздействие высокой влажности в условиях облучения сенсоров при комнатной температуре приводит к повышению отклика на NO$_{2}$ за счет появления дополнительных центров адсорбции. Отсутствие отклика сенсоров на восстановительные газы и изменение концентрации кислорода в газовой смеси вызвано фотодесорбцией хемосорбированных частиц O$_{2}^{-}$ при взаимодействии с генерируемыми при собственных переходах дырками в приповерхностной части WO$_{3}$.

Ключевые слова: оксид вольфрама, двуокись азота, тонкие пленки, магнетронное распыление, оптическое излучение.

Поступила в редакцию: 03.06.2019
Исправленный вариант: 24.06.2019
Принята в печать: 26.06.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48384.17901


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2019, 45:10, 1016–1019

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024