Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT

Проведена теоретическая оценка влияния локализации электронов верхних долин в узкозонном канале транзисторных гетероструктур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs с двусторонним легированием на величину всплеска дрейфовой скорости. Показано, что для транзисторных гетероструктур с донорно-акцепторным легированием, в которых доля электронов, перешедших из узкозонного канала в широкозонный материал, меньше, чем в обычных структурах, за счет локализации электронов верхних долин в узкозонном канале в ряде случаев увеличение дрейфовой скорости может достигать 15%. Исследованный эффект может являться дополнительным механизмом увеличения тока в транзисторах на основе гетероструктур с донорно-акцепторным легированием.