Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями

Оптимальная форма вольт-фарадной характеристики является критическим параметром, определяющим эффективность умножения для гетеробарьерных варакторов (ГБВ) миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Численная модель для расчета вольт-фарадных характеристик и токов утечки ГБВ с произвольным профилем состава и легирования верифицирована на основе опубликованных и оригинальных экспериментальных данных. Спроектированная гетероструктура ГБВ с тремя нелегированными барьерами InAlAs/AlAs/InAlAs в окружении неоднородно легированных модулирующих слоев $n$-InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP. Тестовые ГБВ, изготовленные из выращенных гетероструктур, демонстрируют близкую к косинусоидальной форму вольт-фарадной характеристики при напряжениях смещения до 2 V, увеличенный коэффициент перекрытия по емкости и низкие токи утечки.