Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Г. О. Корнышов, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, М. М. Кулагина, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 19,страницы 37

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

Ф. И. Зубов^a, Э. И. Моисеев^a, Г. О. Корнышов^a, Н. В. Крыжановская^a, Ю. М. Шерняков^b, А. С. Паюсов^b, М. М. Кулагина^b, Н. А. Калюжный^b, С. А. Минтаиров^b, М. В. Максимов^a, А. Е. Жуков^a

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 $\mu$m вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика.

Поступила в редакцию: 19.06.2019
Исправленный вариант: 19.06.2019
Принята в печать: 20.06.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.19.48316.17938