Аннотация:
В классической рентгеновской литографии рентгеновская маска и слой резиста располагаются перпендикулярно рентгеновскому лучу, который, поглощаясь в слое резиста, инициирует вдоль своего пути отклик в форме, соответствующей его поперечному сечению. Однако наклон и поворот маски/резиста, а также несколько экспозиций, проведенных последовательно, позволяют создать реальную трехмерную форму с точностью лучше микрометра. Описаны подходы к созданию реальных трехмерных микроструктур методом глубокой рентгеновской литографии, позволяющие формировать из них относительно большие массивы.