Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si

Экспериментально исследованы усилительные характеристики сильнолегированных структур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/AlN : Si c $x$ = 0.65 и 0.74 при импульсной оптической накачке излучением Nd : YAG-лазера с $\lambda$ = 266 nm. Абсолютные значения коэффициентов усиления в максимуме спектра люминесценции при комнатной температуре равны (0.5–6) $\cdot$ 10$^{3}$ сm$^{-1}$ при плотностях мощности возбуждения 8–600 kW/cm$^{2}$. Полученные значения сечений излучательной и донорно-акцепторной рекомбинации близки по величине и превышают 10$^{-16}$ сm$^{2}$.