Г. Е. Яковлев, И. А. Няпшаев, И. С. Шахрай, Д. А. Андроников, В. И. Зубков, Е. И. Теруков, “Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 17,страницы 39

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов

Г. Е. Яковлев^a, И. А. Няпшаев^bc, И. С. Шахрай^b, Д. А. Андроников^b, В. И. Зубков^a, Е. И. Теруков^abc

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы гетероструктурные солнечные элементы на основе монокристаллического кремния. Проанализированы особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования современных многослойных гетероструктурных солнечных элементов. Получены профили распределения концентрации основных носителей заряда по всей толщине образцов, в том числе впервые в слоях проводящего оксида индия-олова.

Ключевые слова: электрохимическое вольт-фарадное профилирование, гетероструктурные солнечные элементы, монокристаллический кремний, аморфный кремний.

Поступила в редакцию: 17.05.2019
Исправленный вариант: 17.05.2019
Принята в печать: 31.05.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.17.48223.17880