Гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств ($\lambda$ = 6–12 $\mu$m)

Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены изопараметрические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств, работающих в диапазоне длин волн 6–12 $\mu$m. Введение висмута в твердый раствор GaInAsSb позволяет осуществить уменьшение ширины запрещенной зоны $E_{g}$ и соответственно расширить спектральный диапазон до 12 $\mu$m, а также сдвинуть максимум фоточувствительности в длинноволновую область.