Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

Изучена роль EL2-центров в формировании фотоотклика ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x$ = 0.3) $n$-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке $p$-типа. Обнаружено значительное уменьшение времени восстановления фотоотклика нитевидных нанокристаллов по сравнению с таковым для объемного кристалла при переходе EL2-центра из нефотоактивного в основное состояние.