Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 15,страницы 21

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN

Т. В. Малин^a, Д. С. Милахин^a, И. А. Александров^a, В. Е. Земляков^b, В. И. Егоркин^b, А. А. Зайцев^b, Д. Ю. Протасов^ac, А. С. Кожухов^a, Б. Я. Бер^d, Д. Ю. Казанцев^d, В. Г. Мансуров^a, К. С. Журавлёв^ae

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
^c Новосибирский государственный технический университет
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^e Новосибирский государственный университет

Аннотация: Продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии намеренно нелегированных высокоомных буферных слоев GaN в AlGaN/GaN-гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов. Оптимизация ростовых условий GaN проведена на основании расчетов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака.

Ключевые слова: GaN, собственные точечные дефекты, фоновые примеси, AlGaN/GaN, HEMT, NH$_{3}$-MBE.

Поступила в редакцию: 19.04.2019
Исправленный вариант: 24.04.2019
Принята в печать: 24.04.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.15.48081.17844