Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si

Методом хлорид-гидридной эпитаксии на Si с буферным нанослоем SiC выращена гетероструктура, состоящая из трех толстых слоев: AlN (толщина $\sim$0.72 $\mu$m), AlGaN (толщина $\sim$1.82 $\mu$m) и GaN (толщина $\sim$2.2 $\mu$m). Выращенная гетероструктура исследована методом сканирующей электронной микроскопии, методом энергодисперсионного анализа и с помощью ряда других методик. Исследования показали, что использование подложек SiC/Si позволяет выращивать пленки соединений III–V с высокой скоростью роста ($\sim$66 $\mu$m/h) без трещин и с небольшими остаточными упругими напряжениями (160 MPa).