Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом

Исследованы морфология и электрические свойства полуизолирующих эпитаксиальных слоев GaN. Показано, что улучшение изолирующих свойств слоев при повышении уровня легирования углеродом или железом ограничено ухудшением морфологии, при этом характер развития морфологии различен для этих двух примесей. Установлено, что совместное легирование углеродом и железом позволяет сохранить планарность поверхности GaN при существенном улучшении изолирующих свойств.