RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 14, страницы 52–54 (Mi pjtf5383)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов

А. Л. Чижa, К. Б. Микитчукa, К. С. Журавлевbc, Д. В. Дмитриевbc, А. И. Тороповb, Н. А. Валишеваb, М. С. Аксеновb, А. М. Гилинскийb, И. Б. Чистохинb

a Государственное научно-производственное объединение "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника", НАН Беларуси, Минск
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Новосибирский государственный университет

Аннотация: Разработаны конструкция и технология изготовления мощных СВЧ-фотодиодов Шоттки с микрополосковыми выводами на основе двойной гетероструктуры InAlAs/InGaAs. Рабочая частота фотодиодов диаметром 15 $\mu$m составляет более 25 GHz, а максимальная выходная СВЧ-мощность – свыше 50 mW на частоте 20 GHz, что позволяет применять такие фотодиоды в аналоговых волоконно-оптических линиях передачи СВЧ-сигналов, а также для генерации и обработки СВЧ-сигналов оптическими методами в системах радиолокации и измерительной СВЧ-техники.

Ключевые слова: мощные СВЧ-фотодиоды, барьер Шоттки, гетероструктуры InAlAs/InGaAs.

Поступила в редакцию: 04.03.2019
Исправленный вариант: 17.04.2019
Принята в печать: 17.04.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48026.17764


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2019, 45:7, 739–741

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024