М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 13,страницы 33

Эта публикация цитируется в 1 статье

Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs

М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с инжектором из разбавленного магнитного полупроводника (In,Fe)Sb. Выполнен анализ вольт-амперных характеристик структур (In,Fe)Sb/$n$-GaAs и (In,Fe)Sb/$p$-GaAs. Построены зонные диаграммы гетеропереходов. Показано, что исследованные структуры по механизму токопереноса аналогичны структурам с барьером Шоттки.

Ключевые слова: разбавленные магнитные полупроводники, диодные структуры, гетеронаноструктуры A$^{3}$B$^{5}$, спиновая инжекция.

Поступила в редакцию: 29.03.2019
Исправленный вариант: 05.04.2019
Принята в печать: 05.04.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.13.47955.17812