RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 12, страницы 26–29 (Mi pjtf5405)

Исследование многослойных тонкопленочных структур методом резерфордовского обратного рассеяния

В. И. Бачурин, Н. С. Мелесов, Е. О. Паршин, А. С. Рудый, А. Б. Чурилов

Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия

Аннотация: Представлены результаты изучения возможностей метода резерфордовского обратного рассеяния для анализа многослойной структуры, содержащей слои нанометрового масштаба с близкими по массам элементами. Показано, что резерфордовское обратное рассеяние позволяет с достаточно высокой точностью определять состав таких структур, толщину пленки в целом и толщины отдельных слоев и может использоваться для входного контроля технологических структур, применяемых в микро- и нанотехнологиях.

Ключевые слова: многослойные тонкопленочные структуры, послойный анализ, резерфордовское обратное рассеяние.

Поступила в редакцию: 20.03.2019
Исправленный вариант: 20.03.2019
Принята в печать: 25.03.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.12.47914.17798


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2019, 45:6, 609–612

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024